《科技》英特爾晶圓代工 IEDM秀製程節點互連微縮突破

爲了進一步推動環繞式閘極（GAA）微縮，英特爾晶圓代工也展示矽互補金屬氧化物半導體（RibbonFET CMOS）和用於微縮2D FET的閘極氧化物模組工作成果，可提高元件效能，上述技術均有助於推動半導體產業邁向下個十年及更長遠的未來。

隨着半導體產業目標於2030年在單晶片容納1兆個電晶體，電晶體和互連微縮突破搭配先進封裝能力，對講求能源效率、高效能和更具成本效益的AI應用至關重要，需要新材料提升英特爾晶圓代工的PowerVia晶片背部供電解決方案，緩解互連密度和持續微縮壓力。

英特爾晶圓代工表示，已確立包括減材釕（subtractive Ruthenium）、選擇性層遷移（SLT）等多種途徑，可解決銅電晶體在未來節點互連微縮的預期限制，提升現有組裝技術，並繼續定義和規畫用於環繞式閘極微縮及未來的電晶體發展藍圖。

此外，英特爾晶圓代工持續推進業界第一個300毫米（mm）氮化鎵（GaN）技術研究，爲應用於功率供電和射頻（RF）電子產品的新興技術，與矽相比，可提供更高效能並承受更高的電壓和溫度。

英特爾晶圓代工指出，這是業界第一款在300毫米GaN-on-TRSOI載板上製造的高效能微縮增強型氮化鎵金屬氧化物半導體高電子遷移率電晶體（GaN MOSHEMT），可透過減少訊號損耗，實現更好的訊號線性度，並透過背面載板處理實現先進整合方案。

英特爾晶圓代工也在IEDM會議中闡述對先進封裝和電晶體微縮的未來願景，以滿足包括AI在內的各種應用需求，並確立先進記憶體整合、混合鍵合、模組化系統擴充等3個技術創新關鍵動能，以幫助未來AI更節能。

英特爾晶圓代工指出，公司開發的電晶體能在低於300毫伏特的超低電壓運作，有助於解決日益嚴重的散熱挑戰，並大幅改善能耗和散熱，同時呼籲業界採取行動，開發關鍵的革命性創新，以實現兆級電晶體時代的微縮需求。

英特爾晶圓代工資深副總裁暨元件研究部總經理Sanjay Natarajan表示，英特爾晶圓代工持續定義和擘畫半導體產業發展藍圖，最新突破彰顯英特爾致力於開發領先技術的承諾。在美國晶片法案（U.S. CHIPS Act.）支持下，英特爾將持續協助提升全球供應鏈平衡。