英特爾×聯電 開啓晶圓代工新競局

聯電（UMC）與英特爾（Intel）上週共同宣佈攜手開發12奈米制程。圖／本報資料照片

聯電（UMC）與英特爾（Intel）上週共同宣佈攜手開發12奈米制程一事，DIGITIMES研究中心分析師陳澤嘉觀察認爲，此次合作在製程開發、晶圓代工服務可共創雙贏；但短期對臺積電影響不大，而英特爾結盟高塔半導體（Tower Semiconductor）與聯電，也將開啓晶圓代工產業競合新局。

陳澤嘉指出，Pat Gelsinger在2021年重回英特爾擔任CEO後，積極推動IDM 2.0戰略，其中，重返晶圓代工市場以推動Intel Foundry Service（IFS）爲其轉型發展的重要策略。不過，英特爾推進IFS服務主要聚焦7奈米以下先進製程，在成熟製程部分，僅有Intel 16。

陳澤嘉觀察，對於晶圓代工服務經驗相對缺乏的英特爾，此次攜手聯電佈局12奈米制程開發，並以英特爾美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication既有廠房與設備，可大幅降低投資成本，對英特爾而言，是既有設備的再活化，而聯電晶圓代工服務經驗也有助英特爾學習。

聯電提供5微米至14奈米制程，是全球前五大晶圓代工業者，豐富的晶圓代工服務經驗與客戶提供製程設計套件（Process Design Kit；PDK）及設計支援，皆是英特爾IFS業務所需；另聯電雖已完成14奈米制程開發，然貢獻其營收有限，此次雙方合作推進製程研發，有助強化聯電在FinFET技術開發掌握度，有利聯電提供客戶更具功耗、效能與面積（PPA）的解決方案。

陳澤嘉認爲，由於英特爾將資源集中於10奈米以下先進製程，聯電則可在14奈米以上提供互補的解決方案，爲雙方深化合作建立基礎。

英特爾目標2030年成爲全球第二大晶圓代工廠，取代目前三星電子的產業地位，因此，英特爾陸續推進與高塔半導體、聯電合作將是重要發展策略。英特爾結盟高塔半導體與聯電，也將開啓晶圓代工產業競合新局。

陳澤嘉剖析，此合作案短期對臺積電影響有限；三星電子長年與聯電保持緊密合作關係，此次英特爾與聯電加強結盟，也將牽動聯電在三星電子與英特爾之間的資源配比。