東莞市志橙半導體申請實體碳化硅空心頂針製備方法專利，提升了頂針良品率

金融界2024年10月19日消息，國家知識產權局信息顯示，東莞市志橙半導體材料有限公司申請一項名爲“實體碳化硅空心頂針製備方法”的專利，公開號CN 118754670 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本發明涉及碳化硅空心頂針製備的技術領域，公開了一種實體碳化硅空心頂針製備方法，本發明通過根據待制備的實體碳化硅空心頂針的結構信息設計對應的石墨模具，通過化學氣相沉積法依次在石墨模具上覆蓋式製備熱解碳塗層與碳化硅塗層，之後通過氧化刻蝕法去除石墨模具和熱解碳塗層，得到獨立存在的碳化硅塗層，獨立存在的碳化硅塗層即爲待制備的實體碳化硅空心頂針，石墨模具能夠確保實體碳化硅空心頂針的內孔成型的問題，同時熱解碳塗層能夠避免石墨與碳化硅的滲透，保證了頂針內孔潔淨度，提升了頂針良品率，解決了現有技術中製備實體碳化硅空心頂針潔淨度不足的問題。

本文源自：金融界

作者：情報員