意法半導體與 Soitec 就碳化硅達成合作

- 雙方達成協議，將針對採用 Soitec 技術生產 200mm 碳化硅（SiC）襯底進行驗證

- Soitec 關鍵的半導體技術賦能電動汽車轉型，助力工業系統提升能效

2022 年 12 月 5 日，中國北京——服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業法國 Soitec 半導體公司正式宣佈，雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段，意法半導體將在未來 18 個月內對 Soitec 的碳化硅襯底技術進行驗證，在未來的 200mm 襯底製造中採用 Soitec 的 SmartSiC™ 技術，助力器件和模塊製造業務的發展，並有望在中期實現量產。

意法半導體汽車和分立器件產品部總裁 Marco Monti 表示：“汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電氣化進程，碳化硅晶圓升級到 200mm 將會給我們的汽車和工業客戶帶來巨大好處。隨着產量擴大，提升規模經濟效益是很重要的。作爲一家半導體垂直整合製造商（IDM），我們可以在整個製造鏈中最大化地發揮獨特的技術優勢，覆蓋從高質量襯底到大規模的前端和後端生產等環節。提高生產的良率和質量正是我們與 Soitec 開展技術合作的目的。”

Soitec 首席運營官安世鵬（Bernard Aspar）表示：“電動汽車正在顛覆汽車行業的發展。通過將我們專利的 SmartCut™ 工藝與碳化硅半導體相結合，SmartSiC™ 技術將加速碳化硅在電動車市場的應用。Soitec 的 SmartSiC™ 優化襯底與意法半導體行業領先的碳化硅技術、專業知識相結合，將推動汽車芯片製造領域的重大變革，並樹立新的行業標準。”

碳化硅是一種顛覆性的化合物半導體材料，擁有優於傳統硅的特性，面向電動汽車和工業流程等領域的關鍵、高增長的功率應用，能夠提供卓越的性能和能效。它可以實現更高效的電能轉換、更輕量緊湊的設計，並節約整體系統設計成本，助力汽車和工業系統的成功。

從 150mm 晶圓發展到 200mm 晶圓，用於製造集成電路的可用面積幾乎翻倍，而每片晶圓可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍數量的有效芯片，這將促使產能得到大幅提升。

SmartSiC™ 是 Soitec 的專利技術。通過使用 Soitec 專利的 SmartCut™ 技術，可以剝離出高質量的碳化硅供體晶圓薄層，並將其鍵合到低電阻率的多晶硅操作晶圓上，助力改進器件的性能和生產良率。此外，優質的碳化硅供體晶圓可被多次重複利用，進而大幅降低生產的總能耗。

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關於意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics）擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的製造設備。作爲一家獨立的半導體設備製造商，意法半導體與二十多萬家客戶、數千名合作伙伴一起研發產品和解決方案，共同構建生態系統，幫助他們更好地應對各種挑戰和新機遇，滿足世界對可持續發展的更高需求。意法半導體的技術讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯網和5G技術應用更廣泛。意法半導體承諾將於2027年實現碳中和。