比亞迪半導體申請半導體器件及其製備方法專利，可以降低導通壓降，降低導通損耗

金融界2024年6月28日消息，天眼查知識產權信息顯示，比亞迪半導體股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法“，公開號CN202211693124.3，申請日期爲2022年12月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體器件及其製備方法，半導體器件包括多個元胞結構，元胞結構包括第一導電類型輕摻雜的第一漂移層和陰極金屬層，陰極金屬層設置在第一漂移層的上面；在相鄰元胞結構之間設置有第二導電類型的第一重摻雜區，第一重摻雜區位於第一漂移層中並且靠近第一漂移層的上表面設置，第一重摻雜區與陰極金屬層連接；其中，第一重摻雜區包括多個重摻雜子區，相鄰的兩個重摻雜子區之間具有間隙，以使得第一漂移層與陰極金屬層形成電連接。本發明的半導體器件，可以降低導通壓降，降低導通損耗。

本文源自：金融界

作者：情報員