傳HBM良率僅為65% 存儲大廠力爭通過英偉達測試

集微網消息，HBM高帶寬存儲芯片被廣泛應用於最先進的人工智能（AI）芯片，據業界消息，英偉達的質量測試對存儲廠商提出挑戰，因爲相比傳統DRAM產品，HBM的良率明顯較低。

臺積電、三星代工等公司，此前在加工單一矽晶圓時一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰，但當前這一問題蔓延到了HBM行業。

消息稱美光、SK海力士等存儲廠商，在英偉達下一代AI GPU的資格測試中將進行競爭，似乎差距不大，而良率將是廠商們的阻礙。

據悉，HBM製造過程中，多層堆曡的複雜性導致良率變低，小芯片之間通過矽通孔（TSV）工藝相連，這種複雜性增加了製造過程中出現缺陷的機會。如果HBM中的一層被證明有缺陷，那麼整個堆曡都會被丟棄，因而造成良率難以提升。

消息人市場稱，目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右，其中美光、SK海力士似乎在這場競爭中處於領先地位。據悉，美光已開始爲英偉達當前最新的H200 AI GPU生產HBM3e存儲芯片，因爲其已通過Team Green設定的認證階段。

SK海力士副社長Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出，雖然外部不穩定因素仍然存在，但今年存儲芯片市場有望逐漸回溫，PC、智能手機等應用，不僅會提升HBM3e銷量，也能帶動DDR5、LPDDR5T等產品需求增加。這名高管表示，旗下HBM已全部售罄，公司已開始爲2025年準備。