《半導體》華邦電聯手力成 開發2.5D/3D先進封裝業務

本合作業務開發專案之合作方式將由華邦提供CUBE(客製化超高頻寬元件)DRAM以及客製化矽中介層(Silicon-Interposer)、同時整合去耦電容(Decoupling Capacitor)等先進技術，搭配力成科技所提供之2.5D及3D封裝服務，這項戰略合作旨在助力市場對先進封裝的強烈需求以符合客戶期望。

華邦電創新之矽中介層技術與力成科技2.5D及3D異質整合封裝技術結合後，將完整實現高效能邊緣AI運算；搭配華邦電最新發表的CUBE，若選擇利用3D堆疊技術並結合異質鍵合技術(Hybrid Bond)，可滿足邊緣AI運算裝置不斷增長的記憶體需求，是華邦電實現跨平臺與介面部署的重要一步。

本合作業務開發案之合作方式將採由力成科技提供所需之2.5D及3D先進封裝服務，包括但不限於Chip on Wafer、凸塊(Bumping)及矽穿孔(TSV, Through Silicon Via)via-reveal封裝等，力成將優先推薦客戶使用華邦電之矽中介層(Silicon-Interposer)及其他產品，包括動態隨機存取記憶體(DRAM)及快閃記憶體(Flash)等以完成前述之先進封裝服務，進而達成異質整合以滿足市場對高寬頻及高效能運算的服務需求。

這不僅強化了產品之高寬頻性能，還降低資料傳輸所需的電力，從而迎合AI時代對高速運算及低耗能的期望和需求。力成和華邦電透過全面的上下游整合服務，將能夠爲客戶提供更多異質整合方案，以促進AI技術的發展，進而引領AI邊緣運算領域的迅速蓬勃發展。