新極紫外光設備價格不斐 ASML：百億EUV客戶都下單了

艾司摩爾（ASML）推出高數值孔徑極紫外光微影（High-NA EUV）設備。 路透

艾司摩爾（ASML）推出高數值孔徑極紫外光微影（High-NA EUV）設備，並拚2026年量產。ASML昨（6）日表示，所有EUV客戶都在研發階段下單。法人看好，新設備後續出貨，隨先進製程推進，ASML概念股家登（3680）、崇越、華立、閎康都等可望受惠。

ASML大客戶臺積電率先將極紫外光微影（EUV）設備導入7奈米量產，不過臺積電業務開發資深副總經理暨副共同營運長張曉強今年公開表示「喜歡High-NA EUV的能力，但不喜歡標價」。臺積電計劃今年採購高數值孔徑EUV，但以研發用途爲主，尚未導入生產。業界預估，高數值孔徑EUV售價超過4億歐元（約新臺幣141億元），價格不斐。

ASML計劃今年出貨至少5-6臺高數值孔徑EUV，英特爾今年4月喊出採購首臺高數值孔徑EUV並組裝完成，預計於2027年啓用、用於14A 製程。臺積電確定今年至少採購一臺，SK海力士計劃明年導入，三星原先計劃明年取得，希望今年底研發部門就能買進。

High-NA EUV產品管理副總裁 Greet Storms 昨日面對「高價」議題，巧妙迴應「相信客戶很會議價」。她表示，ASML持續發展新的技術，每個EUV客戶在研發階段都看中高數值孔徑EUV，也都已下單。2026年希望能夠推動量產，但仍看客戶製程成本等總體考量。

據瞭解，高數值孔徑EUV已於去年底開始陸續出貨，預計每小時可曝光超過185片晶圓，支援2奈米以下邏輯晶片及相似電晶體密度的記憶體晶片量產。

ASML強調，在先進製程晶片製造中導入高數值孔徑EUV產品，可簡化製程工序、減少光罩數量，達到產能和良率提升，減少製造每片晶圓的能耗。估計在先進製程中導入包括EUV 和高數值孔徑EUV，2029年生產每一片晶圓使用的100度電，實際爲整體制程節省200度電。根據ASML 2023年報，從2018年到2023年，EUV曝光每片晶圓能耗減少近40%，希望到2025年再減少30-35% 的能耗。