ASML瞄準下一代Hyper-NA EUV技術

近年來，ASML站到了世界半導體技術的中心位置，成爲了先進半導體生產供應鏈的關鍵一環。目前ASML有序地執行其路線圖，在EUV之後是High-NA EUV技術，去年末已向英特爾交付了業界首臺High-NA EUV光刻機。雖然業界纔剛剛準備邁入High-NA EUV時代，但是ASML已經開始對下一代Hyper-NA EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案。

據外媒報道，ASML公佈了下一代Hyper-NA EUV技術路線圖，目前仍處於開發的早期階段。前ASML首席技術官Martin van den Brink在今年5月舉行的imec ITF World的演講中表示，從長遠來說需要改進照明系統，必須採用Hyper-NA，同時還需要將所有系統的生產效率提升至每小時400到500片晶圓。

ASML計劃在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻機，數值孔徑將達到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的數值孔徑爲0.55，EUV則是0.33，隨着精度的進一步提高，可實現更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特徵。對ASML而言，未來Hyper-NA技術還將推動其整體EUV能力平臺，以改善成本和交付週期。

Hyper-NA技術肯定會帶來一些新的挑戰，比如光刻膠，需要變得更薄。按照imec高級圖案化項目總監Kurt Ronse的說法，High-NA EUV應該可以覆蓋2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的製程節點。在那之後，Hyper-NA EUV將開始接管。