TI日本會津廠已量產GaN晶片 加計達拉斯廠 GaN產能增至四倍

TI位於日本會津的工廠是第二座生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體廠。圖/TI提供

德州儀器 （TI）今日宣佈已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨着會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。

TI 的技術與製造資深副總裁Mohammad Yunus表示：「以超過十年的GaN晶片設計與製造專業知識，我們已成功驗證 8吋GaN技術，並在會津展開量產；這是現今擴充性最高且最具成本競爭力的GaN製造技術。這個里程碑使我們擁有更多的GaN晶片自有產能，並在 2030 年前將內部製造的比率提升至95%以上，同時也讓我們可從多個TI據點進行採購，確保整個高功率、節能半導體GaN產品組合的可靠供應。」

GaN做爲矽的替代方案，這款半導體材料可在許多領域中提供優勢，包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空間提供更多功率，使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。

TI表示，現在TI已提供最廣泛的整合式GaN功率半導體產品組合，從低電壓到高電壓都包含在內，藉此實現最爲節能、可靠且具高功率密度的電子產品。

TI 的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian表示：「利用GaN，TI就能更有效率地在小巧的空間中提供更高效的功率，這也是推動我們衆多客戶創新的主要市場需求。諸如伺服器電源、太陽能發電和AC/DC轉接器等系統的設計師正面臨必須要減少功耗並提升能源效率的挑戰，他們對於TI高性能GaN晶片可靠供應的需求也與日俱增。TI的整合式GaN功率級產品組合讓客戶可實現更高的功率密度、提升易用性，並降低系統成本。」

此外，憑藉TI的專利矽基氮化鎵製程、經過超過8000 萬小時的可靠性測試，並具備整合式保護功能，TI的GaN晶片能確保高電壓系統安全無虞。

TI強調，新產能使用現今市面上最先進的設備來製造GaN晶片，因此可提升產品性能與製程效率，同時還能提供成本優勢。增加GaN製造規模的性能優勢使其可將GaN晶片提升至較高的電壓，從 900伏特開始，隨着時間推移增加至更高的電壓，藉此進一步推動機器人、再生能源和伺服器電源等應用的能源效率與尺寸創新。

此外，TI的擴大投資包含於今年稍早在12吋晶圓上成功進行GaN製造的試行作業。TI持續擴大的GaN製程技術可以完全轉換至12吋晶圓上，讓其能隨時根據客戶需求進行調整，並在未來移轉至透過12吋技術進行生產。

TI日本會津廠內工程師檢查GaN晶片。圖/TI提供