臺媒：臺積電強攻先進製程，穩坐全球EUV龍頭
據臺媒《工商時報》報道，晶圓代工龍頭臺積電在上週的法說會上透露了其3nm製程的更多細節。
據悉，3nm採用FinFET架構及EUV技術，3nm相對5nm邏輯密度將大幅增加70％，性能提升10-15%，功耗在同樣性能下將降低25-30%，面積爲原來的1/1.7，且EUV光罩層數將倍增。
此前ASML CEO Peter Wennink在財報會上指出，5nm製程採用的EUV光罩層數將超過10層，3nm製程採用的EUV光罩層數會超過20層，隨着製程微縮EUV光罩層數會明顯增加，並取代深紫外光（DUV）多重曝光製程。
另外，該報道稱臺積電將會積極採購EUV光刻機設備，未來3～5年仍將是擁有全球最大EUV產能的半導體廠。
在先進工藝上，臺積電一直走在業界前列。該公司EUV技術已進入量產且製程涵蓋7+nm、6nm、5nm。
據設備廠商消息，臺積電7+nm採用EUV光罩層最多達四層，AMD新一代Zen 3架構處理器預期是採用該製程量產。6nm已在第四季進入量產，EUV光罩層數較7+nm增加一層，包括聯發科、英偉達、英特爾等大廠都將採用6nm生產新一代產品。
今年下半年開始量產5nm製程，主要爲蘋果量產A14及A14X處理器，包括AMD、高通、英偉達、英特爾、博通等都會在明年之後導入5nm製程量產新一代產品。
此外，3nm產品將會在2021年出現在市場上，2022年開始大批量生產。