臺積電該怕？三星導入最新黑科技 超神級技術曝光

三星2027年2奈米將導入晶背供電。（示意圖：shutterstock／達志）

三星爲了與臺積電競爭大絕盡出，根據《韓國經濟日報》報導，三星計劃採用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）晶片製造技術，能讓2奈米晶片的尺寸，相比傳統前端配電網絡（PDN）技術縮小17%。

三星代工製程設計套件（PDK）開發團隊副總裁Lee Sungjae近期向大衆揭露BSPDN細節，BSPDN相較於傳統前端配電網絡，可將晶片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預定在2027年量產2奈米晶片時採用BSPDN技術。

BSPDN被稱爲次世代晶圓代工技術，該技術主要是將電軌置於矽晶圓被面，進而排除電與訊號線的瓶頸，以縮小晶片尺寸。

先進製程競賽白熱化，英特爾則預計今年將BSPDN應用在英特爾20A（相當於2奈米節點）的製程上，該公司稱該技術爲「PowerVia」。臺積電則計劃在2026年底左右，對1.6奈米以下製程導入BSPDN。

Lee Sungjae也公佈次世代GAA製程的計劃及晶片效能，三星將在今年下半年量產基於第二代環繞式閘極（GAA）技術（SF3）的3奈米晶片，並將GAA導入2奈米制程。SF3相比第一代GAA製程，晶片效能和功率提升30%、50%，晶片尺寸亦縮小35%。