三星認了輸給臺積電！嗆聲5年在2奈米反超 霸氣關鍵曝光

臺積電是晶圓代工龍頭，後方追兵來勢洶洶。（圖／路透社）

臺積電爲全球晶圓代工龍頭，後頭追兵三星、英特爾來勢洶洶，三星設備解決方案（DS）部門主管慶桂顯（Kye Hyun Kyung）公開喊話，三星先進製程要在5年內超越臺積電，不僅如此，他也認爲自家的AI伺服器有朝一日能超越輝達。

綜合外媒報導，慶桂顯在南韓科學技術院（KAIST）的演講上表示，目前三星的晶圓代工技術落後臺積電，4奈米落後2年、3奈米落後3年，但等到2奈米情勢就可能逆轉，三星憑着在3奈米就已經導入GAA技術的優勢，能在5年內超越臺積電。

臺積電在3奈米制程仍使用FinFET技術，要到2奈米纔會採用GAA技術，三星則是在3奈米就已經使用GAA技術，但整體良率不如臺積電，因此無法順利彎道超車。

即使如此，三星有信心透過提早導入GAA技術的經驗，在2奈米取得突破，慶桂顯認爲，三星GAA製程能生產比臺積電面積減少45%、運算效能增加45%，耗能減少達50%的晶片，且客戶對三星3奈米的反應相當良好。

三星除了劍指臺積電，還將矛頭指向輝達，慶桂顯提到，三星記憶體在人工智慧伺服器的開發角色上相當重要，有朝一日能夠超越輝達GPU的地位。