太慘！拼命追趕還是慘輸臺積電 三星3奈米最新良率曝光

三星3奈米良率傳大幅提升，但仍落後臺積電。（示意圖：shutterstock/達志）

「護國神山」臺積電的先進製程技術遙遙領先其他競爭對手，也獲得全球大客戶肯定。不過南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據最新爆料，三星的3奈米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落後臺積電。

科技網站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社羣平臺X（前身爲推特）的發文報導，三星的3奈米制程良率一開始雖然只有10～20%，但最近已拉昇至3倍以上。

儘管三星如今3奈米制程良率已達30~60%之間，但Revegnus直言，相較於使用FinFET製程的臺積電，三星的良率數據依然偏低。不過三星對於第二代3奈米制程寄予厚望，據傳其效能、功耗及面積（Performance、Power、Area；PPA）相當於臺積電的N3P。

Revegnus還表示，據消息人士透露，三星3奈米制程的能源效率、邏輯區域，都較4奈米4奈米FinFET改善20～30%。

不過Wccftech在報導中直言，隨着臺積電今年積極將3奈米晶圓產能擴大到每月約10萬片的規模，三星幾乎沒有機會趕上，「在過去的幾年裡，這家臺灣半導體巨頭（臺積電）在這個領域幾乎看不到競爭」。

報導中指出，三星必須將良率進一步提高70%，才能重拾高通等先前客戶的信心。不過到目前爲止，三星的3奈米GAA晶片只有加密挖礦行業客戶的訂單，並沒有加入更多其他客戶。很可能是因爲許多公司對三星的早期樣品印象不佳，因此決定在可預見的未來繼續使用臺積電。三星雖仍致力於做出調整，但要對其代工勁敵臺積電構成威脅還需要一段時間。