明年HBM價格最高再漲一成！客戶看好AI後市需求

《科創板日報》5月6日訊 TrendForce集邦諮詢資深研究副總吳雅婷今日表示，今年第二季已開始針對2025年HBM進行議價，不過受限於DRAM總產能有限，爲避免產能排擠效應，供應商已經初步調漲5%-10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。

對於議價時間提前到今年二季度，集邦諮詢表示其原因包括：一是因爲HBM買方對AI需求展望仍具高度信心，願意接受價格續漲；二是因爲HBM3e的TSV良率目前僅約40%-60%，因此買方願意接受漲價以鎖定質量穩定的貨源；三是因爲未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度，以及供應能力產生價差，對於供應商而言，未來平均銷售單價將會因此出現差異，並進一步影響獲利。

毫無疑問，AI熱度的攀升導致HBM產銷走俏。在近日的媒體招待會上，HBM龍頭企業SK海力士CEO表示，公司按量產計劃2025年生產的HBM產品基本售罄，主要由於AI爆發對先進存儲產品HBM的需求。此前，公司宣佈其2024年HBM的產能已被客戶搶購一空。

另一存儲巨頭三星電子也在緊鑼密鼓的推進HBM3e的量產。公司4月30日表示，目前正供應12層堆疊HBM3E內存——36GB HBM3E 12H DRAM樣品，計劃今年二季度量產，其8層堆疊的HBM3 8H已開始初步量產。SK海力士的12層堆疊HBM3e內存也有望於三季度完成。

整體行業規模方面，SK海力士認爲，目前像HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲市場的佔比約爲5%，預計到2028年可以達到61%。

集邦諮詢也預計2023年-2025年間HBM之於DRAM產能及產值佔比均將大幅向上。產能方面，2023年至2024年HBM佔DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年佔比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之於DRAM總產值預估可逾20%，至2025年佔比有機會逾三成。

中信證券在近期研報中指出，預計2024年、2025年全球HBM容量需求年化增長超100%，佔DRAM總容量需求將從2023年的不足1%增長至超5%。國內方面，機構認爲後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下，國內DRAM存儲原廠有望跟進HBM產品，對半導體設備產生增量需求。綜合來看，在需求與疊加技術創新週期的雙重疊加下，HBM原廠、先進封裝、半導體設備、半導體材料等環節公司均有望持續受益。