HBM高度客制 明年需求仍看好

據市場法人調查發現,由於HBM客製化程度高,需通過輝達、超微及ASIC方案商驗證通過,才能正式出貨,屬計劃性生產,供給增加量有限。圖/本報資料照片

HBM後市看法

高頻寬記憶體(HBM)供需問題,成爲記憶體產業界高度關注問題,法人機構調查後發現,2025年HBM需求有上升空間,且因客製化程度高,通用性也不強,在國際廠商計劃性生產下,預期2025年不易有超額供給問題。

HBM是一種可以用於高速運算、能運送大量資料的記憶體,目前市場由三星、SK海力士與美光三大DRAM廠所壟斷。

臺系廠商未生產HBM,因此法人關注重點在於,三大DRAM廠產能擴產情況,對整體DRAM供需及報價的影響,以及臺廠如威剛等,在HBM延伸應用領域的進度。

市場法人分析,2025年HBM主流規格,將轉爲8層和12層的HBM3E,其中,12層的HBM3E將搭配輝達(NVIDIA)的Blackwell系列,以及超微(AMD)的MI325、MI350等AI加速器使用。

根據外資券商瑞銀證券調查發現,儘管市場上輝達晶片延遲出貨傳聞不斷,但該券商重申,三星及SK海力士的12層HBM3E,皆將於2024年第四季開始出貨給輝達。

該券商預測,隨着客戶詢問熱度不退,2025年HBM需求,仍有上升空間,可能接近或超過瑞銀預測的223億GB。

另據市場法人調查發現,由於HBM客製化程度高,需通過輝達、超微及ASIC方案商驗證通過,才能正式出貨,屬計劃性生產,供給增加量有限。

在製程上,HBM前段製程與DDR5共用,後段矽穿孔(TSV)及熱壓鍵合(TCB)等設備爲特殊用途。HBM供應商不致於因設備的折舊壓力,而生產過多產品,因此,研判2025年HBM出現供給過剩的機率不大。

法人預期,三星、SK海力士與美光三大DRAM廠商,在2025年將致力於升級到1b/1β,甚至1c奈米制程,以應對未來伺服器市場對下一代高頻寬記憶體HBM3E、128GB或更高DDR5模組需求。

至於用於生產DDR4、DDR3等成熟製程供給,三大DRAM廠商則將持續減少,因此,法人研判,2025年DRAM市場供需有望維持平衡。