☰

美光新高頻寬記憶體 HBM3E 量產將用於輝達 H200

爲搶攻AI商機，記憶體大廠美光（Micron）在美國時間26日宣佈，最新高頻寬記憶體HBM3E正式量產。路透

爲搶攻AI商機，記憶體大廠美光（Micron）在美國時間26日宣佈，最新高頻寬記憶體HBM3E正式量產，該解決方案將用於今年第2季出貨的輝達H200 Tensor Core GPU，此里程碑使美光居於業界領先地位。消息激勵美光股價同日大漲4%，27日美股早盤續漲逾2.5%。

隨着美光搶先宣佈第五代高頻寬記憶體HBM3E已正式量產，三星電子也緊接着公佈12層HBM3E已開發完成，使得原先在HBM領域跑在前頭的SK海力士腹背受敵，27日股價應聲重挫。

美光HBM3E目前提供24GB容量，每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb，記憶體頻寬達每秒1.2 TB以上。與競品相比，美光HBM3E功耗降低約30%。

該公司也規劃將在2024年3月推出12層堆疊36GB HBM3E的樣品，相較於競品，效能可達到每秒1.2TB以上，並具備優異的功耗表現。

花旗分析師丹納利表示，這項發展有利美光，預期該公司2024年將產生7億美元的HBM營收。

接着，三星27日宣佈成功研發出利用矽穿孔技術（TSV）的業界首款12層堆疊HBM3E，容量爲迄今業內最大的36GB，已開始向客戶提供12層堆疊HBM3E的樣品，並計劃下半年投入量產。

根據MoneyToday上週報導，SK海力士1月中旬結束HBM3E開發，順利完成輝達歷時半年性能評估，預定3月開始量產HBM3E，進度顯然落後美光。SK海力士27日收跌4.9%。

另外，Omdia最新數據顯示，三星電子2023年第4季動態隨機存取記憶體（DRAM）全球市佔率爲45.7％，穩居榜首，SK海力士市佔31.7%，名列第二，美光市佔19.1%，排在第三。

在DRAM之中，快速成長的HBM是最新戰場；TrendForce預估，HBM的市場規模，將從今年的39億美元成長至2027年的89億美元。

美光新高頻寬記憶體 HBM3E 量產 將用於輝達 H200