《科技》美光HBM3E應用於輝達拚Q2出貨 加速AI普及拱股漲

美光執行副總裁暨事業長Sumit Sadana表示，美光在HBM3E此一里程碑上取得了三連勝，爲領先的上市時間、業界最佳的效能、傑出的能源效率。AI工作負載亟需記憶體頻寬與容量，美光HBM3E和HBM4產品藍圖領先業界，針對AI應用提供完整的DRAM和NAND解決方案，支援未來AI顯著的成長。

隨着AI需求不斷提升，能夠應付與日俱增工作負載的記憶體解決方案變得更加關鍵。美光HBM3E推動AI革命，HBM3E解決方案具備效能、效率高可擴展性等優勢應對挑戰，美光HBM3E每腳位傳輸速率超過9.2 Gb/s，記憶體頻寬達1.2 TB/s以上，爲AI加速器、超級電腦與資料中心提供如閃電般快速的資料存取速度。與競品相比，美光HBM3E功耗降低了約30%，引領業界。爲了支援日益增長的AI需求和應用，HBM3E能以最低的功耗提供最大的傳輸量，進而改善資料中心重要的營運成本指標。美光HBM3E目前提供24 GB容量，使資料中心可無縫擴展其AI應用，無論是用於訓練大型神經網路還是加速推理任務，美光解決方案都能爲其提供所需的記憶體頻寬。

透過其1B技術、先進直通矽晶穿孔(TSV)和其他創新，美光得以發展領先業界的HBM3E設計，並實現具差異性的封裝解決方案。美光也規畫將在2024年3月推出12層堆疊36GB HBM3E的樣品，相較於競品，效能可達1.2TB/s以上並具備優異的能源效率，能進一步延續其業界領導地位。

此外，美光也將成爲輝達GTC AI大會的贊助商，該大會將於3月18日開始，屆時美光將更詳細地分享其領先業界的AI記憶體產品組合與藍圖。