加速AI普及 美光HBM3E記憶體正式量產

美光宣佈量產8層堆疊 24GB HBM3E，預計於2024年第2季出貨。

美商記憶體美光科技，今宣佈其8層堆疊 24GB HBM3E解決方案已正式量產。美光HBM3E解決方案將應用於 輝達 H200 Tensor Core GPU，預計於 2024年第2季出貨。美光強調將挾此產品優勢，取得業業界領先地位。

隨着AI需求不斷提升，能夠應付與日俱增工作負載的記憶體解決方案變得更加關鍵。美光強調該公司推出的 HBM3E 解決方案具備卓越效能， 每腳位傳輸速率超過 9.2 Gb/s，記憶體頻寬達 1.2 TB/s 以上，爲 AI 加速器、超級電腦與資料中心提供如閃電般快速的資料存取速度。

與競爭產品相比，美光強調HBM3E功耗降低了30%，且爲了支援日益增長的 AI 需求和應用，HBM3E 能以最低的功耗提供最大的傳輸量，進而改善資料中心重要的營運成本指標。

再者HBM3E具備可擴展性。美光表示，HBM3E目前提供24GB容量，使資料中心可無縫擴展其AI 應用，無論是用於訓練大型神經網路還是加速推理任務，美光解決方案都能爲其提供所需的記憶體頻寬。

美光執行副總裁暨事業長 Sumit Sadana 表示：「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三連勝：領先的上市時間、業界最佳的效能、傑出的能源效率。AI 工作負載亟需記憶體頻寬與容量，美光 HBM3E 和 HBM4 產品藍圖領先業界，針對 AI 應用提供完整的 DRAM 和 NAND 解決方案，支援未來 AI 顯著的成長。」

透過其 1β 技術、先進直通矽晶穿孔 (TSV) 和其他創新，美光得以發展領先業界的 HBM3E 設計，並實現具差異性的封裝解決方案。作爲記憶體領域中 2.5D/3D 堆疊和先進封裝技術的領導者，美光相當自豪成爲臺積電 3DFabric 聯盟的合作伙伴，共同形塑半導體和系統創新的未來。

美光也規畫將在2024年3月推出12層堆疊 36GB HBM3E 的樣品，相較於競品，效能可達 1.2TB/s 以上並具備優異的能源效率，能進一步延續其業界領導地位。此外，美光也將成爲輝達 GTC AI 大會的贊助商，該大會將於 3月18日開始，屆時美光將更詳細地分享其領先業界的 AI 記憶體產品組合與藍圖。