聯電創業界第一 0.11微米制程量產觸控IC
▲聯電將率先採用業界第一個0.11微米eFlash製程量產觸控IC，應用於次世代觸控控制器及物聯網應用產品。(圖/本報資料照片)
晶圓代工廠聯電23日宣佈，將率先採用業界第一個0.11微米eFlash製程量產觸控IC，以8吋晶圓製造，採純鋁後段技術，有效降低一次性費用降低客戶成本，因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品製程需求。而在利多消息的刺激下，聯電24日股價以紅盤開出，重新站上每股11元的位置。
聯電錶示，該技術於2012年底推出，爲晶圓業界第一個結合12V與純鋁後段(BEoL)製程，以因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用於各尺寸觸控熒幕產品的微控制器時，0.11微米制程可提供比0.18微米制程更小更快的邏輯元件，並可達到更高效能。
聯電市場行銷處資深處長黃克勤表示，觸控面板已是現今電子產品主流的操作介面。聯電觸控平臺解決方案其中重要特點，就是0.11微米eFlash解決方案，包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體macro設計服務。並藉由結合鋁後段製程來提供最佳成本效益，服務高度競爭的觸控IC市場。
此外， 12V可滿足現今更大尺寸觸控熒幕，與瀏覽網頁時在觸控熒幕上懸浮觸控(hover)應用的高信噪比需求。該技術與現今廣泛採用的3.3V解決方案相比，信噪比可改善超過3倍，可驅動晶片設計公司創造新世代更先進的觸控產品。
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