Bosch與美國達成初步協議 獲得2.25億美元晶片補貼

博世要在加州投資19億美元，把製造設施轉型爲生產碳化矽功率半導體廠的計劃，獲得美國政府多達2.25億美元的補貼。美聯社

美國商務部13日表示，已與德國汽車零組件供應商博世（Bosch）達成初步協議，將爲博世在加州的碳化矽（SiC）功率半導體廠興建計劃，提供多達2.25億美元的補貼。碳化矽晶片對電動車、電信以及國防產業至關重要。

商務部表示，將以這筆補貼，支持博世要在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元，把製造設施轉型爲生產碳化矽功率半導體廠的計劃，商務部也提議提供約3.5億美元的政府貸款。

博世預期，這座半導體廠2026年起將以200毫米（8吋）晶圓生產晶片。商務部表示，碳化矽晶片的耗能較少，對提高電動車駕駛與充電效率至關重要。

商務部表示，博世這座半導體廠產能全開時，佔全美碳化矽晶片製造產能的比率將超過40%。

博世北美總裁湯瑪斯（Paul Thomas）發表聲明說：「這筆羅斯維爾投資案，讓博世能夠在地生產碳化矽晶片，在電氣化之路上，支持美國消費者。」

曾參與起草2022年《晶片與科學法》的加州民主黨籍聯邦衆議員鬆井佳壽惠（Doris Matsui）表示，給予博世的補助，將允許該公司生產「推動乾淨運輸、電動車及其他乾淨能源科技進步的必要零組件。」