安森美半導體推出新的SiC MOSFET

推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），推出另兩個碳化矽（SiC）金氧半場效電晶體（MOSFET）系列，擴展了其寬能隙（WBG）元件系列。 這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不斷電電源設備（UPS）、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽（Si）MOSFET根本無法實現的。

安森美半導體的新的1200V和900V的N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本徵二極體具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小晶片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的元件電容和更低的閘電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾（EMI），並可使用更少（或更小）的被動元件。極強固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現代電源應用至關重要。 較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少元件導通時產生的靜態損耗。

1200V元件的額定電流高達103A（最大ID），而900V元件的額定電流高達118A。對於需要更高電流的應用，安森美半導體的MOSFET可易於並聯運行，因其正溫係數/不受溫度影響。

安森美半導體電源配置部功率MOSFET分部副總裁/總經理Gary Straker針對新的SiC MOSFET元件說，如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽元件所能提供的，包括更低的損耗、更高的工作溫度、更快的開關速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半導體爲進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程。

安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物，針對汽車應用的元件都符合AEC-Q100車規和生產件批准程式（PPAP）。 所有元件都採用行業標準的TO-247或D2PAK封裝。