英特爾4年大計變雙面刃 宣戰臺積電恐有翻船危機？

英特爾發表新的製程與封裝創新藍圖規劃，分析師認爲這是對臺積電宣戰。(示意圖/達志影像)

美國半導體巨頭英特爾週一(26日)公佈新的製程與封裝創新藍圖規劃，並持續擴大在晶圓代工領域的深度，企圖在2025年之前技術趕上臺積電與三星電子，其中，一改先前不願追隨其他代工廠製程命名的作風，引發業界討論，資深半導體分析師陸行之就在臉書發文，此舉如同對臺積電宣戰，並在受訪時提到，英特爾此舉，若製程發表無法如承諾執行，恐怕對英特爾也是一大傷害。

英特爾表示，將原本的10 奈米 Enhanced SuperFin正名爲Intel 7，原先的7奈米正名爲Intel 4，之後分別爲Intel 3、Intel 20A、Intel 18A。英特爾說明，2022年10奈米處理器晶片Alder Lake，伺服器晶片Sapphire Rapids名稱跟進改爲7奈米，4奈米制程起將採用極紫外光（EUV）微影技術，3 奈米要在 2023 下半年投片量產，2024 年跨入Intel 20A並逐步量產，象徵晶圓代工製程進入埃米 (Angstrom) 時代。若跟臺積電對照世代差異，英特爾4奈米、3奈米制程與其差距1年，20A製程對照臺積電2奈米，屆時英特爾將追上臺積電先進製程技術時程。

陸行之曾於27日於臉書發文，面對英特爾4年大計，一般人可能會認爲英特爾技術打不過臺積電，直接改名更快，但他認爲，英特爾2022年的10奈米及2023年的7奈米，確實跟臺積電的7奈米及4奈米不相上下，等於是用「正名」宣戰，不容輕忽。

陸行之表示，英特爾現在終於放棄過去在節點名稱的堅持，迴歸產業正軌，這樣半導體分析師也比較輕鬆，以後就專心盯着每家資本開支、量產時點、良率、產能利用率、成本等。

陸行之指出，英特爾第一次宣佈的1.8奈米/18A要使用改良版的RibbonFET 還有使用ASML最新的高數值孔徑High NA EUV。至於宣佈高通採用20A製程，亞馬遜AWS將成爲首個採用英特爾先進封裝解決方案的客戶，但事實上這些公司本來就沒有與英特爾直接競爭的關係，所以都在掌握之中，就看英特爾是否能徹底執行。

陸行之受訪時也提到，看英特爾製程命名，一直覺得很奇怪，現在只是迴歸到正常水準，但英特爾這次改名後，就需要面對市場檢驗，再也無法利用製程名稱不同去推遲製程發表，到時候一翻兩瞪眼，把這些事情記下來，若每年都有些推遲，就代表2025年，沒辦法實現趕上臺積電的目標。

陸行之表示，英特爾在新執行長上任後，的確有更積極趨勢，過去英特爾認爲自己被誤解，其實他的技術並不會輸給其他代工廠，甚至與臺積電並駕齊驅，但未來如何發展，陸行之認爲有待觀察，至於對臺積電影響是否很大，他認爲還好。英特爾副總裁汪佳慧則是指出，英特爾一直以來都與臺積電有密切合作，至於未來推進上，目前已知的就是英特爾伺服器處理器晶片Meteor Lake，2023年將採用臺積電先進製程，也就是雙方仍有許多合作空間。