三星明年量產430層閃存!但有人瞄準了1000+層

快科技4月16日消息,三星計劃在本月晚些時候開始量產第九代V-NAND閃存,可用的堆疊層數達290層,相比現在的236層只增加不到23%。

這一代新閃存將採用新的堆疊架構,底部是CMOS層加邏輯電路,上邊是145層閃存陣列,再上邊又是145層閃存陣列。

這種方法雖然更復雜,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以輕鬆進一步拓展。

按照三星的規劃,2025年下半年將量產第十代V-NAND,進一步堆疊到430層。

更遙遠的未來,三星可能會在2030年左右做到1000層。

中國長江存儲可能會在今年下半年量產300層,SK海力士計劃明年初量產321層,鎧俠號稱2031年量產1000多層!