全球半導體投資 將創新高

全球半導體龍頭英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）24日發表IDM 2.0策略，包括將投資200億美元在美國亞利桑那州Ocotillo園區興建兩座先進製程晶圓廠，同時也將擴大委外代工，包括將CPU晶片塊（tile）交由臺積電代工等。英特爾建置自有產能及擴大委外代工雙軌並行，設備業者看好半導體投資將創新高紀錄。

英特爾宣佈，將投資200億美元在美國亞利桑那州Ocotillo園區興建兩座晶圓廠，將支援英特爾產品和客戶不斷成長的需求，併爲晶圓代工客戶提供產能承諾。英特爾並與IBM進行新的策略合作，加快半導體制程和封裝技術的創新速度。英特爾新廠將積極使用7奈米極紫外光（EUV）製程技術，同時計劃年內宣佈在美國、歐洲和其他全球據點，進行下一階段的產能擴充。

英特爾希望和第三方晶圓代工廠擴大既有的合作關係，晶圓代工廠如今可以製造生產一系列基於英特爾技術的產品，包括通訊、連網、繪圖晶片、晶片組等。英特爾與晶圓代工廠的合作將不斷成長，包括採用先進製程技術製造一系列模組化晶片塊在內，從2023年開始爲PC端和資料中心領域提供以英特爾運算爲核心的產品。

英特爾計劃投資興建新晶圓廠，以因應7奈米先進製程需求，同時擴大對晶圓代工廠釋出委外代工訂單。基辛格表示，除與臺積電針對CPU晶片塊代工進行合作，與臺積電、聯電、三星、格芯等晶圓代工廠，也會擴大合作計劃。