「盤中寶」多家巨頭正在進行技術準備，下代HBM4內存中或導入該技術，這家公司有應用於相關半導體封裝領域的重點研發項目

財聯社資訊獲悉，三星電子、SK 海力士、美光均對在下代HBM4內存中採用無助焊劑鍵合技術感興趣，正在進行技術準備。美光在與合作伙伴測試工藝方面最爲積極、SK海力士考慮導入、三星電子也對此密切關注。

據悉，HBM內存將於HBM4開始正式轉向16層堆疊。更多的DRAM Die層數意味着HBM4 16Hi需要進一步地壓縮層間間隙，以保證整體堆棧高度維持在775 μm的限制內。助焊劑可清理DRAM Die表面的氧化層，保證鍵合過程中機械和電氣連接不會受到氧化層影響；但助焊劑的殘餘也會擴大各Die之間的間隙，提升整體堆棧高度。助焊劑的缺點將會在未來的先進封裝工藝中變得越來越明顯，衆多領頭羊公司在研究和開發無助焊劑工藝及設備。

公司方面，快克智能致力於爲精密電子組裝和半導體封裝檢測領域提供智能裝備解決方案，公司應用於半導體封裝領域的重點開發項目——用於無助焊劑真空焊接工藝的離線/在線甲酸焊接爐已少量出貨。