邁爲股份申請甚高頻真空鍍膜設備專利，保證了膜層的均勻性

金融界 2024 年 7 月 16 日消息，天眼查知識產權信息顯示，蘇州邁爲科技股份有限公司、蘇州邁正科技有限公司申請一項名爲“甚高頻真空鍍膜設備“，公開號 CN202410518553.X，申請日期爲 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種甚高頻真空鍍膜設備。甚高頻真空鍍膜設備包括射頻源、真空腔體及間隔設置於真空腔體內部的上電極模組和下電極模組，上電極模組與下電極模組間形成有鍍膜電場，上電極模組包括背板及噴淋頭，背板連接射頻源及用於通入工藝氣體，射頻源的頻率範圍爲 10MHz-200MHz；噴淋頭安裝於背板，其背離背板的一側設置有介質塗層。通過設置射頻源的頻率範圍爲 10MHz-200MHz，保證了膜層的均勻性；通過設置噴淋頭背離背板的一側設置有介質塗層，可以通過改變介質塗層的厚度和介電常數以調節處於上電極模組和下電極模組邊緣的電場強度，保證上電極模組和下電極模組之間形成的鍍膜電場的均勻性，進一步提升鍍膜過程中膜層的均勻性。

本文源自：金融界

作者：情報員