力旺NeoMTP矽智財 臺積製程驗證成功

嵌入式非揮發性記憶體矽智財（eNVM IP）廠力旺（3529）宣佈，其嵌入式可多次編寫（MTP）記憶體矽智財NeoMTP已成功於臺積電第三代0.18微米BCD （Bipolar-CMOS-DMOS）類比IC製程完成驗證，提供物聯網（IoT）電源管理IC客戶具成本優勢的矽智財解決方案。

力旺表示，NeoMTP已廣泛被USB Type-C與無線充電等電源管理晶片的客戶所採用，這次與臺積電在0.18微米第三代BCD製程合作的解決方案，具備更高整合性、更微小化、更低功耗等優異特徵。

無線充電已成爲行動裝置與IoT相關應用的基本配備，因此，市場對於整合微控制器（MCU）以及功率元件的系統單晶片（SOC）的需求也逐步提升，同時，記憶體也被整合進SoC中做程式碼儲存功能，力旺的NeoMTP矽智財是此種設計的最佳解決方案。

與傳統的OTP或外掛式EEPROME相比，使用嵌入式MTP無線充電控制器不僅提供更彈性的可編程性效能，同時更減少設計冗餘。力旺業務發展中心副總經理何明洲表示，力旺的矽智財產品在電源管理IC領域向來是極佳的選擇，力旺布建於臺積電0.18微米第三代BCD製程的NeoMTP可使設計者在快速成長的電源管理IC市場取得先機。

力旺表示，已成功布建其eNVM IP解決方案於臺積電的BCD製程，瞄準電源管理等相關應用。力旺的NeoBit在2017年完成臺積電0.18微米第三代BCD製程驗證後，已有非常好的量產成果。而NeoMTP除了在0.18微米第三代BCD製程完成驗證外，在90奈米BCD製程合作案也正在進行，預計不久將來亦可完成驗證。