晶合集成申請芯片上鈍化層裂縫的檢測方法及芯片良率的確定方法專利，能夠檢測出鈍化層裂縫貫穿氮化硅層但未貫穿氧化硅層的這種缺陷。

金融界2024年7月3日消息，天眼查知識產權信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名爲“芯片上鈍化層裂縫的檢測方法及芯片良率的確定方法“，公開號CN202410670976.3，申請日期爲2024年5月。

專利摘要顯示，本申請公開芯片上鈍化層裂縫的檢測方法及芯片良率的確定方法，鈍化層包括氮化硅層和與氮化硅層接觸的氧化硅層，氧化硅層還接觸芯片的金屬層，檢測方法包括：將芯片浸入加熱的氫氧化鉀溶液內，以使加熱的氫氧化鉀溶液在通過氮化硅層的情況下腐蝕氧化硅層而進入金屬層；將芯片置於顯微鏡下觀察金屬層的顏色以確定鈍化層是否有裂縫。本申請能夠檢測出鈍化層裂縫貫穿氮化硅層但未貫穿氧化硅層的這種缺陷。

本文源自：金融界

作者：情報員