《國際產業》拉大競爭優勢 SK海力士再斥巨資

這家韓國記憶體業者又在自己國家內砸下至少10億美元，用來改良晶片製造最後一個重要階段的技術。雖然SK海力士尚未公開今年資本支出是多少，但外界預估應有14兆韓元，約105億美元，故先進封裝的研發費用或有10.5億美元之多。

SK海力士認爲，全球半導體產業發展至今，前50年是把重心放在前端上面，泛指IC設計以及晶圓代工。未來50年的焦點應該轉變爲在後端上，也就是封裝製程。就半導體產業鏈的特性而言，通常大晶片製造商會把組裝與封測工作外包給亞洲各國。

由於技術斐然，SK海力士被全球人工智慧AI領頭羊Nvidia，欽點爲標準化（standard-setting）AI加速器所需之HBM供應商。另方面因市場瘋買SK海力士，股價從2023年初迄今已飆升120%，市值不僅衝高至119兆韓元，且搖身一變成爲韓國第2大上市公司。

表現優於三星與美光的SK海力士，所研發的第3代封裝技術HBM2E，很快地就被這兩家美韓競爭對手仿效。當初在2019年底，就是因爲SK海力士研發出這種先進的封裝技術，纔會吸引Nvidia進而成爲重要的大客戶之一。

屬於高效能記憶體的HBM，是將晶片先堆疊在一塊，然後使用TSV（Through Silicon Via）矽穿孔技術將這些晶片相互連結，若跟傳統PoP（Package on Package）技術相比，TSV的速度更快且密度更高。

當SK海力士與美國合作伙伴AMD，在2013年推出HBM時，兩年內沒有受到同業的挑戰，不過，三星在2015年底就研發出HBM2產品。里昂證券認爲，SK海力士高層事前做好充分準備，當機會到來時便用雙手牢牢抓住。同時也戲謔，三星電子那個時候可能還在睡大頭覺。

據悉，SK海力士正與電子材料底部填膠的全球大廠日商Namics合作。同時，SK海力士也把大部分資源投入散熱能力更好的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術，以及前述TSV製程。

多年以來，高階管理層一直處於羣龍無首的三星電子，現在在會長李在鎔的領導下，正在急起直追。2023年，三星所生產的HBM晶片受到Nvidia認證通過。2月底時，三星曾說已研發出第5代技術，有12層DRAM堆疊，以及業界最大容量36GB的HBM3E產品。

相同的一天，美國的美光突然對外宣佈，已開始量產24GB容量有8層堆疊的HBM3E。同時，此項產品也將成爲Nvidia第二季計劃出貨的H200 Tensor核心GPU的重要零組件。

彭博社指出，志在擴大業務與增加研發技術的SK海力士，已計劃在美國建造好幾10億美元的高階封裝設備。面對愈來愈激烈的同業競爭，SK海力士目前所決定的每一項投資，都是爲了後幾代的高效能記憶體產品來做事先準備。