德州儀器鎖定車用GaN市場 推新品搶市

德州儀器（TI）推出全方位整合式650-V車用GaN FETs能發揮氮化鎵的材料優點，實現高效率、高頻率開關性能，且不會衍生設計與元件選擇問題。透過低電感四方扁平無引線（QFN）封裝，GaN FETs與驅動器近距離整合後，能大幅減少寄生閘極迴路電感，因此無須擔心閘極過載或寄生米勒導通現象。同時，低共源極電感能實現快速切換、減少功耗。

爲了加速電動車（EV）技術導入，滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求，全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能，同時儘可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本。

透過EV車載充電器（OBC），消費者能在家用、公用或商用充電站，直接以AC電源爲電池充電。順應當前潮流，這項技術目前也快速發展。爲提高充電率，OBC的額定功率已從3.6kW提升至22kW，不過，設計人員也必須思考如何在不影響續航里程的前提下，將OBC與電動車既有機械系統整合。另一業界趨勢則是將現今OBC低於2kW/L的功率密度，逐步提高至4kW/L。

OBC是一種開關式功率轉換器，主要由變壓器、電感器、濾波器、電容器等被動元件與散熱器組成。提高開關頻率能減少被動元件的尺寸，但金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFETs）、絕緣柵雙極電晶體等開關元件的功耗也會隨之提高。

元件尺寸縮小後，能用於排熱的表面積也減少，因此必須進一步降低功耗，才能維持元件溫度不變。達成高功率密度需要同步提升開關頻率與效率，而這是過去矽基功率元件無法克服的難題。

追求提高開關速度（元件端點之間電壓與電流的變化速度）的同時，必須減少開關能量損耗，否則實際最大頻率將會受限。採用低電感電路佈局設計、端點間寄生電容低的功率元件，將是未來的研發方向。

氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬能隙功率半導體具有優良物理特性，因此使用此類材料開發的功率元件，能實現極低的電容以及理想的導通電阻。

與相較於MOSFET有較高的崩潰電壓值於相同晶粒體積下，氮化鎵的崩潰臨界電場高於矽的10倍，電子遷移率也比矽高出33％，具有低導通電阻與低電容的雙重優點。因此，與矽元件相比，氮化鎵與碳化矽FETs能在更高的開關速度下運作，且功率損耗更低。

德州儀器表示，公司推出的氮化鎵元件具有超過4000萬小時的可靠度，且10年生命週期失效率小於1，絕對能滿足汽車製造商對強健性的高標準。不只如此，TI氮化鎵並非採用碳化矽或藍寶石基板，而是以常見矽基板與現有製程節點生產，100％由內部廠房製造，提供客戶無可比擬的供應鏈與成本優勢。