《半導體》臺積電日本二廠、歐洲廠H2興建 長期毛利率目標不變

臺積電指出，公司的N2製程2奈米技術將採用奈米片（Nanosheet）電晶體結構，在密度及能源效率上均是業界最先進半導體技術，目前製程技術研發進展順利，裝置效能及良率均符合或優於預期，將如期於2025年進入量產，量產曲線預期與N3相似。

臺積電表示，幾乎所有的AI創新者均正與公司合作，觀察客戶對N2製程的高度興趣及參與度，預期2奈米技術在頭2年的產品設計定案（tape outs）數量，將高於3奈米和5奈米同期表現，看好N2及其衍生技術將進一步擴大技術領先優勢，良好掌握AI相關成長契機。

全球佈局方面，臺積電指出，鑑於強勁的高速運算（HPC）及AI相關需求，獲得美國客戶的堅定承諾與支持，規畫擴大投資美國亞利桑那州、興建3座晶圓廠。其中，一廠已於4月進入採用4奈米N4製程的工程晶圓生產，將按計劃於2025年上半年開始量產。

而規畫建置3奈米及2奈米亞利桑那州二廠，也在最近完成上樑，預計2028年開始生產。採用2奈米或更先進製程技術的三廠，則預計2030年底進行生產。臺積電相信，一旦開始量產，將能提供與臺灣晶圓廠相同水準的製造品質和可靠度。

而日本合資公司JASM在熊本的首座特殊製程晶圓廠，已於2月舉行啓用典禮，將採用12/16及22/28奈米制程，如期於第四季進行量產。第二座特殊製程晶圓廠則將採用40奈米、12/16奈米和6/7奈米制程技術，預計下半年開始興建、2027年底開始生產。

歐洲方面，臺積電與博世、英飛凌和恩智浦等夥伴合資設立子公司ESMC，規畫於德國德勒斯登興建以汽車和工業應用爲主、採用28/22奈米及16/12奈米的特殊製程晶圓廠，計劃自第四季開始興建。

臺積電指出，將透過策略性定價反映地域靈活性價值、與政府密切合作確保支持、利用領先製造技術及大規模製造基地的根本優勢，達成管理及最小化差距目標。因此，儘管海外晶圓廠成本較高，仍有信心實現長期毛利率逾53％、股東權益報酬率（ROE）逾25％目標。