《半導體》力成：明年Q2翻揚 樂觀看明年下半、2025年

力成樂觀看待2024下半年及2025年，力成執行長報告主要成長動能如下，記憶體跌幅已深，期待記憶體明年下半年強力反彈；量產高性能大尺寸FCBGA，也斬獲得宜；已投資晶圓廠使用的CMP，明年中力成將具有記憶體Via middle晶圓Via reveal之能力，結合原本HBM堆疊技術，力成將成爲少數OSAT具備HBM Via middle封裝能力的公司。

力成多年來開發的大面板尺寸FO Chip first、Chip last、Chip middle等先進2.5D/3D封裝將開始迎接新應用的到來；力成也將尋求與晶圓廠結盟開發細線寬、細TSV直徑的SI interposer，結合已有的先進封裝堆疊技術，提供客戶除了CoWoS的另外一種選擇。

以TSV連結的CIS CSP(晶圓級尺寸封裝)，不管是否有附光學玻璃鏡片均可以開始量產。用於監控、自動化及工業用的CIS CSP(晶圓級尺寸封裝)將從今年第四季開始小量生產(LVM)，從2024年開始量產(HVM)。從明年第二季起，將有更多來自不同客戶的專案引入力成。

力成用於人工智慧、伺服器、電動汽車等的電源模組/電源塔小量生產(LVM)及量產(HVM)時間分別將於明年第一季及明年第二季。