拜登籲國會速通過晶片法

美國總統拜登 圖／美聯社

美國總統拜登週五（6日）在一場公開場合中，疾呼國會應迅速通過《兩黨創新法案》，當中有一項針對美國晶片數十億美元投資，有助推動當地半導體業發展，避免美國未來再受亞洲供應鏈中斷而讓產出受到影響。據媒體披露，針對拜登呼籲，國會參衆議員12日將對此案首度開會討論。

拜登週五在辛辛那堤視察United Performance Metals金屬製造廠時，要求國會盡快通過《兩黨創新法案》，他聲稱此案若通過，將有助降低價格、帶來就業機會與推動美國製造業復甦。陪同拜登參加這項視察行程的還有俄亥俄州民主黨參議員布朗（Sherrod Brown）及共和黨參議員波特曼（Rob Portman）。

在《兩黨創新法案》中，有一項是美國政府提供520億美元補貼，來扶植當地半導體業的發展。拜登指出，這筆資金將鼓勵半導體公司在美國建廠，避免汽車和電子產業再次遭遇晶片短缺困境。

拜登強調這項法案能提升美國技術與創新，強化經濟與政治安全，並使美國能與主要地緣政治對手中國大陸進行抗衡。

他還批評中國政府付錢遊說，企圖遏止該法案通過。

事實上參議院早在2021年6月已經通過自家版本的晶片與技術創新法案，緊接衆議院也在今年2月通過類似法案，不過兩者版本略有不同。因此兩院聯席委員會（conference committee）已決定12日將首次集會，針對兩院版本如何整合進行討論。然而根據國會助理透露，兩院要達成最終協議，恐怕還需數月時間。

對此民主黨參議員華納（Mark Warner）感到相當挫敗。他指出在美國開始討論此案時，其他國家像是德國已宣佈最新晶片投資計劃。他還擔憂在美國部分重大晶片投資項目，有可能因爲國會缺乏行動而停滯不前。

受到晶片短缺危機衝擊，美國汽車與電子業深受影響，部分公司還因此被迫削減產能。