16-Hi堆棧和3D封裝的三星HBM4內存正在開發中 將於2025年亮相

三星已宣佈開發出下一代 HBM4 內存，該內存將於 2025 年亮相，並具有一些強大的規格和功能。在這家韓國半導體制造商的一篇博客文章中，三星再次重申其 HBM4 內存目前正在開發中，並將於 2025 年亮相。

該公司目前的 HBM 產品組合包括作爲頂級產品的 HBM3E"Shinebolt"，採用 24 Gb DRAM，容量達 36 GB，傳輸速度達 9.8 Gbps。該內存技術採用 2.5D 封裝，支持 12 Hi 的堆疊。

三星 HBM 產品組合的下一個演變將以 HBM 4 的形式出現。這種特殊內存的代號目前尚不清楚，但它應該會有更大的發展。從規格開始，三星的 HBM4 內存預計將包含多達 16-Hi 堆棧，如果我們使用相同的 24 Gb 模塊可以組合出高達 256 GB 的 HBM4 容量，速度非常快，而目前的峰值約爲 10 Gbps。三星表示：

目前，NVIDIA 的 Blackwell B100/B200和AMD 的 Instinct MI300 GPU可提供高達 192 GB 的 HBM 容量。前者採用較新的 HBM3E 標準，後者採用 HBM3 DRAM 解決方案。這兩款 GPU 都有 8 個 HBM 位點，每個位點都有 12-Hi 堆棧，因此如果將這些位點升級到較新的 16-Hi 堆棧，就可以獲得 256 GB 的容量。這還不算 HBM4 將推出的更密集的 DRAM 模塊（24 Gb+）。

此外，HBM4 背後的另一項關鍵技術將是 3D 封裝的利用。 最近，JEDEC 放寬了對 HBM4 內存的要求，允許公司利用現有的粘合技術。下一代 3D 封裝還可能克服與混合粘合相關的一些價格問題。AMD 預計將通過 MI350 和 MI370 系列更新其 MI300產品線，這些產品線預計將增加容量，而NVIDIA則可能在 HBM4 供應穩定後更新其 Blackwell GPU，以便在未來推出速度更快的產品。