《專訪》泛銓柳紀綸：切入故障分析爲營運添動能(4-3)

我們很清楚故障分析的市場很大，一直在那裡等我們，我們在兩年前也開始加大投入故障分析，現在故障分析大本營是在臺元科技園區，那裡也是很多IC設計公司集中的點，我們擁有地利跟大規模的新設備來服務這些客戶。

再者，故障分析的領域很多，我們針對獨特有利基以及成長性比較高的先行集中投入，例如：像化合物半導體的故障分析，我們是目前臺灣唯一一家建置1000V以上到3000V故障分析量測平臺；經由超過1000V以上的量測，我們可以協助客戶量測高壓元件的順向導通的時候Rdson，這是業界第一家可以做到的，隨着市場上有越來越多客戶都持續投入，預期有很高的成長性。另外一個就是泛銓在先進封裝(INFO/COWOS/CHIPLET 3D)與先進製程IC的FA投入，在先進封裝FA的競爭優勢包括：我們擁有超高頻TDR，有能力對2.5D/3D封裝體定位出來10 um級的open與高阻抗；且3D X-ray可以對2.5D/3D封裝體的open /short做穿透觀察，例如，5um WOW TSV封裝；此外，我們Thermal可定位z軸，達成um等級的XYZ定位，找出2.5D/3D封裝體缺陷。

至於先進製程IC的F A則是透過一系列電性定位設備(ingaas/obrich，CV，AFM)，從um尺度定位到nm尺度，最後用Nano probe 進行元件尺度直接量測，其中泛銓針對先進製程IC開發Nano probe的技術優勢，包括：於0.1KV(極低電壓)的電子影像下，點測元件，電荷損傷極低；偵測pA等級的漏電訊號，可以測極微小電流差異；定位nA等級的EBAC亮點定位訊號，優異的極低漏電定位能力，以及低損傷的試片製備處理，符合先進製程客戶的需求

泛銓先進製程IC專用的Nano probe的技術，近期已經通過3家科技公司在3nm產品上的驗證。我們是唯一能做3nm量測的FA House，客戶可以從Nano probe量測結果與討論分析後解讀異常現象與失效原因，用來改善設計與半導體制程問題。

對於故障分析來說，我們努力的方向是增加服務項目與產量，同時要兼顧每個工作同仁的產值，這樣才能增加每個同仁的業績，讓同仁找的年收入提高，避免被挖角(IC設計公司)，這也是呼應爲何我們增加FA的策略是穩健的，放重點在特殊還是藍海的項目上。(4-3)