重金研發3、2奈米 力戰摩爾定律

臺積電加快先進製程研發，3奈米N3製程使用鰭式場效電晶體（FinFET）結構提供客戶最成熟的技術、最優異的效能、以及最佳的密度。N3預計在今年下半年量產。臺積電亦推出N3E製程作爲3奈米家族的延伸。

N3E的量產時間預計在N3量產後一年進行，有信心3奈米家族將成爲臺積電另一具長期大量需求的製程技術。

臺積電進一步提升5奈米家族的效能、功耗和密度，推出了4奈米N4P和N4X製程，以支援下一波的5奈米產品。相較於N5製程，N4P效能提升11％，針對高負載的高效能運算（HPC）產品推出N4X製程，爲臺積電第一個極高效能半導體技術X系列的技術，N4X的效能較N5提升15％。N4P預計於今年下半年完成首批產品設計定案，N4X預計在明年上半年進入試產。

臺積電去年進入2奈米N2製程技術的開發階段，着重於測試載具設計與實作、光罩製作及矽試產等，主要進展在於提升基礎製程設定、電晶體與導線效能。

在微影技術部份，臺積電研發組織藉由提升晶圓良率達到可靠影像以支援3奈米試產，並提升極紫外光（EUV）的應用、降低材料缺陷與增進平坦化的能力，以支援2奈米技術的開發。臺積電亦藉由2奈米光罩材料與光罩製程的基礎開發，持續精進EUV光罩技術，2奈米預期2025年開始生產。

在先進封裝技術方面，臺積電3DFabric平臺設計解決方案將和電晶體微縮互補，提升系統級效能。

在系統整合晶片方面，臺積電去年在客戶產品上成功展示具備優異電性表現的晶片對晶圓（CoW）技術。另外，臺積電完成新一代InFO及CoWoS先進封裝驗證，支援客戶的HPC應用及具備增強散熱性能的行動應用。