中國用氮化鎵半導體突破美國封鎖，打造全球最強雷達芯片

在美國對中國實施了嚴厲的技術制裁之際，中國一支國防科研團隊宣佈，他們成功研製出了一種具有創紀錄功率輸出的雷達芯片，使用了被美國禁止出口的半導體材料。

這種雷達芯片的名字叫做“高功率寬帶毫米波集成電路”，是由中國電子科技集團公司第十四研究所的科學家們開發的。他們在《電子學報》上發表了一篇論文，介紹了這種芯片的設計和性能。

這種芯片使用了氮化鎵（GaN）作爲半導體材料，可以在毫米波頻段（30-300GHz）下產生高達10瓦的功率輸出，是目前已知的同類芯片中最強大的。

毫米波雷達可以實現高分辨率、高速率和高可靠性的通信和探測，有着廣泛的軍事和民用應用，比如導彈制導、無人機控制、自動駕駛、遙感和醫療等。

然而，氮化鎵半導體技術是美國對中國實施技術封鎖的重點對象之一。美國政府認爲，氮化鎵半導體可以用於製造高性能的軍用電子設備，對美國的國家安全構成威脅。因此，美國對中國出口氮化鎵半導體和相關設備和材料進行了嚴格的限制和審查。

中國科學家們表示，他們是在自主研發和創新的基礎上，突破了美國的技術封鎖，實現了氮化鎵半導體在雷達領域的重大突破。

他們還表示，他們的芯片不僅具有高功率輸出，還具有低噪聲、低失真、低功耗、小尺寸和高集成度等優點，可以滿足不同場景和需求的雷達應用。

這項成果引起了國內外專家和媒體的關注和讚揚。有人認爲，這是中國在半導體領域追趕甚至超越美國的一個重要標誌，也是中國在面對美國壓力時展現出的自信和韌性的一個體現。