英特磊攜韓廠 搶攻氮化鎵

英特磊IET-KY（4971）18日宣佈，與韓國IVWorks公司合作，開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵（GaN）磊晶片。英特磊總經理高永中表示，氮化鎵具高頻優勢，是5G、物聯網時代被大量使用的新一代半導體材料，與IVWorks合作提早掌握GaN先機，搶攻RF（射頻）和電力器件領域，擴大全球市場佈局。

高永中表示，英特磊與IVWorks 2018年起在GaN材料和磊晶技術密切合作，2019年形成技術和行銷聯盟框架。這次的合作案聯手開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務；現有產品GaN/Si（最大200mm）和GaN/SiC（最大150mm）已進入送樣階段。

IVWorks運用混合式MBE技術（Hybrid-MBE），生產高質量的GaN磊晶片。英特磊則有擁多項美國專利的即時生產監控系統，高永中表示，利用公司在MBE的量產經驗模式，以及硬體設備自主改造升級的實力，可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合。