意法半導體MasterGaNR系列新增優化的非對稱拓撲產品

爲延伸MasterGaNR平臺的創新優勢，橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出之MasterGaN2是新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）電晶體的首款產品，亦是一個適用於軟開關有源鉗位元反激拓撲的GaN整合化解決方案。

兩個650V常關型GaN電晶體的導通電阻（RDS(on)）分別爲150mΩ和225mΩ，每個電晶體皆整合一個優化的閘極驅動器，讓GaN電晶體如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先進驅動功能和GaN既有的性能優勢，MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式轉換器等拓撲電路之高效能、小體積和輕量化優勢。

MasterGaN功率系統級封裝（SiP）系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transis，HEMT）和配套的高壓閘極驅動器，並內建了所有必備的保護功能。設計人員可以輕鬆地將霍爾感測器和DSP、FPGA或微控制器等外部裝置與MasterGaN元件連線。輸入相容3.3V-15V邏輯訊號，有助於簡化電路設計和物料清單，並可使用更小的電路板，簡化產品安裝。這種整合方案有助於提升轉接器和快充充電器的功率密度。

GaN技術正在推動USB-PD轉接器和智慧型手機充電器朝快充發展。意法半導體的MasterGaN元件可讓這些充電器體積縮小高達80％，同時減輕70％的重量，而充電速度是普通矽基解決方案的三倍。

內建保護功能包括高低邊欠壓鎖定（Under-Voltage Lockout，UVLO）、閘極驅動器互鎖、專用關閉腳位和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是爲高壓應用而優化的封裝，高低壓焊盤之間之安全距離超過2mm。