旺宏攜國研院 攻3D DRAM

不讓韓、美大廠壟斷AI高頻寬記憶體（HBM）商機，臺灣籌組新世代記憶體技術國家隊，旺宏（2337）扮先鋒。旺宏昨（25）日宣佈，攜手國科會轄下國研院半導體中心，開發新型高密度、高頻寬3D DRAM，目標成爲未來AI伺服器必備的新世代記憶體，搶攻高達千億美元的市場大餅。

目前發展AI必備的HBM由三星、SK海力士、美光等三大國際記憶體廠寡佔，臺廠無法有相關產品搶市。業界看好，旺宏攜手國研院半導體中心開發的3D DRAM，比現有HBM具AI應用優勢。

旺宏表示，這次開發的新型高密度、高頻寬3D DRAM，具有高密度、高頻寬、能耗低、耐用度高等優勢，是全世界最早開發出此種新型3D DRAM的團隊之一。

國研院半導體中心指出，三大國際記憶體廠寡佔的HBM，就是透過半導體封裝技術，將2D平面製作的DRAM層層堆疊及串連一起，但如何製造出更高頻寬、更高密度且更低耗能的HBM，是目前全球各研發單位及記憶體大廠的主軸研發方向。

這次旺宏與半導體中心合作開發新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體，開發的是「低溫3D晶片製造技術」，旺宏將其應用在3D動態隨機存取記憶體，但這項技術可有很多應用面向，半導體中心已建立3DIC服務平臺，已與業者展開合作。