臺灣創「多重鰭高電晶體」 多塞2千萬顆晶片還更省電
半導體界的戰爭日新月異，製程也逐漸從傳統平面式轉爲立體。繼國際大廠推出彎曲式「鰭式場效電晶體」後，國研院也選在3日發表領先全球的製程技術，做出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」，大幅提升國內半導體廠商的國際競爭力。
▲國研院研發出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」。(圖／取自http://ssttpro.acesuppliers.com/)
奈米元件實驗室表示，「鰭式場效電晶體」(FinFET) 因爲形狀有如魚鰭而得名，除了體積小較爲省電，還可擴充晶片上可容納的電子元件密度，並讓不同大小的電流「各住適合的房型」，達到晶片空間利用的最佳化，藉此提升運作效能。
國研院指出，半導體積體電路的製造，可說是一場尺寸微縮與效能提升的競賽，半導體元件最先進的製程技術，約可在1平方公分的矽晶片上，容納約1億顆電晶體；「鰭式場效電晶體」技術一旦推出，不只讓設計更具彈性，還可在同樣面積增加約2千萬顆電晶體，等於節省了兩成的製作成本。
國研院還說，此技術已經申請專利，且自12月起，將爲國內學術界開放製作平臺，方便其研發各種元件雛型與製程技術，讓學術前瞻研究與產業接軌；預估在5年內，就能協助業界量產「多重鰭高的鰭式場效電晶體」。