臺積電宣佈3年千億投資 2大勁敵比得過？
全球晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家近日對客戶發出信件提及，由於新冠肺炎疫情加速數未轉型，5G以及高效能運算(HPC)需求激增，臺積電過去12個月產能利用率超過100％，依然無法滿足客戶需求，決定在未來3年投入1,000億美元擴產及支持先進製程研發。隨着臺積電2021年第一季法說將於4月15日，下週一(5日)起將爲期10天緘默期，臺積電大投資計劃預料成爲市場焦點。
與此同時，晶圓代工領域另外2大對手英特爾、三星的投資規模，臺積電先是在今年1月法說提及，將2021年資本支出上調至250億至280億美元，等於是資本支出調高約45~62%，將有80%用在7奈米、5奈米以及3奈米擴產與研發，10%用於先進封裝技術，10%用於特殊製程，同時2020年至2025年保持年複合成長率10~15%。
然而，隨着全球半導體供不應求，魏哲家在信件提及，因應先進製程日益複雜帶來的挑戰，以及擴充成熟製程產能所需增加的新投資，加上材料成本的增加，將自今年12月31日起暫停明年全年的晶圓代工價格年度折讓。
臺積電表示，現在正進入一個成長幅度更高的期間，預計未來幾年5G和HPC的產業大趨勢，將驅動對於半導體技術的強勁需求。疫情所帶動的數位轉型，爲了因應市場需求，臺積電未來3年投入1,000億美元增加產能，以支持領先技術的製造和研發，並與客戶緊密合作以持續支持客戶需求。
就在臺積電大投資計劃消息釋出之前，拜登政府的2.25兆元大基建計劃細節也出爐，其中3000億美元本土製造計劃，其中500億美元將用以提升美國半導體生產以及研發，讓英特爾、美光等美國公司獲得支持。
美國半導體科巨頭英特爾新任執行長Pat Gelsinger日前也宣佈將在美國亞利桑那州斥資近200億美元打造2座先進製程晶圓廠，更誓言英特爾進入IDM2.0，提供所有最新的技術整合，將協助系統公司做訂製化的晶圓代工、IP、封測，並獨立出晶圓代工部門，由英特爾高階主管Randhir Thakur帶領，替客戶定製化晶片，展現昔日霸主的企圖心。
臺積電本身也在去年5月宣佈，將赴美國亞利桑那州投資約120億美元、建設一座12吋晶圓廠，用以生產5奈米制程，預料將在2024年上半年開始量產。臺積電甚至在今年農曆年前宣佈，將赴日本設置先進封裝技術研發中心，資本額不超過186億日圓，用以3DIC材料研究。歐盟也在今年稍早討論將建立本土的2奈米制程生產線，並點名臺積電、三星等廠商。
至於三星電子，於2019年4月24日公佈「半導體願景2030」，打算在2030年成爲全球系統半導體龍頭，預計砸1160 億美元發展該公司的晶圓代工業務，打算利用極紫外光(EUV)微影技術超越臺積電，並率先在3奈米制程採用環繞閘極技術（Gate-All-Around,GAA），預料將在2022年量產。
相較於英特爾、三星等垂直整合製造(IDM)模式營運的半導體廠商，臺積電專研在先進製程與先進封裝技術的研發，規模不僅比兩者還大，純晶圓代工廠的角色也能讓客戶更放心將訂單交給臺積電，讓該公司能穩坐超過50%的高市佔率。