臺積電4奈米第3季提前試產 3奈米明年下半年量產
晶圓代工廠臺積電4奈米制程技術開發進度順利，預計2021年第3季開始試產，較先前規劃提早一季時間，至於3奈米制程則將依計劃於2022年下半年量產。
臺積電線上技術論壇登場，會中揭示先進邏輯技術、特殊技術、以及3DFabric先進封裝與晶片堆疊技術的最新創新成果。共計超過5000位來自全球各地的客戶與技術夥伴註冊參加。
臺積電總裁魏哲家表示，數位化以前所未有的速度改變社會，人們利用科技克服全球疫情帶來的隔閡，彼此進行連繫與合作，並且解決問題。
魏哲家說，數位轉型爲半導體產業開啓了充滿機會的嶄新格局，而全球技術論壇彰顯了許多臺積電加強與擴充技術組合的方法，協助客戶釋放創新。
他表示，臺積電於2020年領先業界量產5奈米技術，其良率提升的速度較前一世代的7奈米技術更快。5奈米加強版的4奈米制程技術藉由減少光罩層，以及與5奈米制程幾近相容的設計法則，進一步提升了效能、功耗效率、以及電晶體密度。
自從在2020年技術論壇公佈之後，臺積電4奈米制程技術的開發進度相當順利，預計於2021年第3季開始試產，較原先規劃於2021年第4季試產提早了一季時間。
爲滿足更新穎且更強化的汽車應用對於運算能力日益增加的需求，例如支援人工智慧的駕駛輔助及數位車輛座艙，臺積電推出了N5A製程。
臺積電指出，N5A製程將把現今超級電腦使用的相同技術帶入車輛之中，搭載5奈米的運算效能、功耗效率、以及邏輯密度，同時符合AEC-Q100 Grade 2嚴格的品質與可靠性要求，以及其他汽車安全與品質的標準。N5A製程預計於2022年第3季問世。
至於3奈米制程技術，臺積電表示，將依原訂計劃於2022年下半年量產，屆時將成爲全球最先進的邏輯技術。相較於5奈米制程技術，3奈米制程速度增快15%，功耗降低達30%，邏輯密度增加達70%。
因應5G智慧手機需要更多的矽晶面積與功耗來支援更高速的無線數據傳輸，臺積電發表N6RF製程，將6奈米邏輯製程所具備的功耗、效能、面積優勢帶入到5G射頻（RF）與WiFi 6/6e解決方案。
臺積電指出，相較於前一世代的16奈米射頻技術，N6RF電晶體的效能提升超過16%。此外，N6RF針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發器提供大幅降低的功耗與面積，同時兼顧消費者所需的效能、功能與電池壽命。
臺積電表示，公司持續擴展由三維矽堆疊及先進封裝技術組成的3DFabric系統整合解決方案。針對高效能運算應用，將於2021年提供更大的光罩尺寸來支援整合型扇出暨封裝基板（InFO_oS）及CoWoS封裝解決方案，運用範圍更大的佈局規劃來整合小晶片及高頻寬記憶體。
此外，系統整合晶片的中晶片堆疊於晶圓之上（CoW）的版本預計今年完成對7奈米的驗證，並於2022年在嶄新的全自動化晶圓廠開始生產。
針對行動應用，臺積電推出InFO_B解決方案，將行動處理器整合於輕薄精巧的封裝之中，提供強化的效能與功耗效率，並且支援行動裝置製造廠商封裝時所需的動態隨機存取記憶體堆疊。1100602
(中央社)