SK海力士、臺積 攜手開發新HBM晶片

全球第二大記憶體晶片製造商韓國SK海力士18日宣佈與臺積電簽署合作備忘錄，聯手開發下一代高頻寬記憶體（HBM），計劃於2026年投入量產。（中新社）

全球第二大記憶體晶片製造商韓國SK海力士18日宣佈與臺積電簽署合作備忘錄，聯手開發下一代高頻寬記憶體（HBM），計劃於2026年投入量產。韓國媒體分析，本次合作旨在應對人工智慧（AI）需求爆炸性增長所帶來的競爭壓力，並重新塑造三星電子、SK海力士和臺積電三方間的競爭格局。

聲明指出，SK海力士與臺積電雙方已簽署技術合作備忘錄，以共同開發HBM4爲核心，並加強在先進封裝技術方面的合作。SK海力士表示，與臺積電合作後，將以構建IC設計廠、晶圓代工廠、記憶體制造廠三方技術合作的方式，「力求突破記憶體性能的極限」。

SK海力士是全球目前唯一一家先進HBM晶片開發商。隨着AI發展逐漸擴大，對HBM晶片的需求也隨之爆發。《韓國經濟新聞》指出，三星電子在高頻寬記憶體和代工生產方面，分別爲SK海力士和臺積電的主要對手，本次跨國合作目標在於合力對抗來自三星的競爭。

合作中，雙方計劃首先提高HBM封裝底部的基礎晶片性能。HBM將基礎晶片（即單獨的DRAM晶片）堆疊在頂部，並利用矽穿孔（TSV）技術將其垂直連接。SK海力士於第五代HBM（HBM3E）時使用自家制程，但第六代HBM4計劃使用與臺積電合作的前端製程，以提高性能和能源效率、滿足客戶需求。

此外，雙方還將加強整合SK海力士的HBM和臺積電的CoWoS先進封裝技術，以滿足HBM相關客戶的需求。CoWoS是臺積電領先全球的技術，是一種將邏輯晶片和高頻寬記憶體連接在一起的封裝方法，目前主要用於應對大量運算需求。

SK海力士AI基礎設施社長金柱善表示：「我們將透過與臺積電合作開發最高性能的HBM4，並積極拓展與全球客戶的開放性合作。今後將提升客製化記憶體平臺的競爭力，鞏固我們在人工智慧記憶體業界的全方位供應商地位」。

臺積電資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示：「多年來，臺積電與SK海力士已經建立穩固的合作伙伴關係。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司也通過密切合作提供最佳的整合產品，成爲人工智慧領域創新的關鍵動力。」