三星重啓NAND設備投資，三星1b DRAM正順利量產

甬興證券近日發佈電子行業存儲芯片周度跟蹤：三星重啓NAND設備投資，三星1b DRAM正順利量產。

以下爲研究報告摘要：

NAND：NAND顆粒市場價格小幅波動，平澤P4工廠將投入NAND設備。根據DRAMexchange，上週（0715-0719）NAND顆粒22個品類現貨價格環比漲跌幅區間爲-2.23%至0.08%，平均漲跌幅爲-0.25%。其中15個料號價格持平，1個料號價格上漲，6個料號價格下跌。根據CFM閃存市場報道，三星電子已經開始爲預計年底完工的平澤P4工廠訂購NAND閃存生產設備，預計該工廠將安裝NAND閃存、DRAM和代工生產線。三星電子此次重新啓動設備投資，顯示出其對市場完全恢復的信心。

DRAM：顆粒價格小幅波動，三星1b DRAM正順利量產。根據DRAMexchange，上週（0715-0719）DRAM18個品類現貨價格環比漲跌幅區間爲-9.48%至8.53%，平均漲跌幅爲2.10%。上週12個料號呈上漲趨勢，6個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據CFM閃存市場報道，三星電子下一代DRAM路線圖進展良好，1b DRAM正在順利量產，4F Square也正在順利開發，三星將在內存領域保持超級差距，預計2025年開發出4F Square DRAM的初始樣品。

HBM：SK海力士確定HBM4基礎裸片工藝。根據CFM閃存市場報道，SK海力士將使用臺積電的N5工藝版基礎裸片構建其新一代HBM4產品，並確定與臺積電在下一代高帶寬存儲器（HBM）量產上的合作分工。

市場端：渠道和行業SSD價格保持穩定。上週（0715-0719）eMMC價格持平，UFS價格持平。根據CFM閃存市場報道，本週渠道SSD和內存條市場變化不大，基本維持不變。行業市場方面，本週行業價格相對穩定。受渠道市場影響，國內部分行業客戶報價偏低，海外市場和國內一些優質客戶出價相對較爲合理。嵌入式市場方面，因原廠官價仍未完全確定下游終端普遍不急於備貨，觀望氛圍濃重；本週嵌入式價格趨於平穩。

投資建議

我們持續看好受益先進算力芯片快速發展的HBM產業鏈、以存儲爲代表的半導體週期復甦主線。

HBM：受益於算力芯片提振HBM需求，相關產業鏈有望迎來加速成長，建議關注賽騰股份、壹石通、聯瑞新材、華海誠科等；

存儲芯片：受益於供應端推動漲價、庫存逐漸迴歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產業鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關注恆爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利、深科技等。

風險提示

中美貿易摩擦加劇、下游終端需求不及預期、國產替代不及預期等。（ 甬興證券 陳宇哲 ）

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