搶商機 應材推新電子束量測系統

先進晶片是一層一層建構起來的，其過程中數十億個結構的每一個都必須被完美地圖案化（patterned）和對準，才能製造出具有最佳電性的電晶體和互連架構。但隨着業界普遍從簡單的2D設計轉向更進階的多重成像和3D設計，如要完成晶片的每個關鍵層（critical layer），實現最佳的晶片效能、功率、單位面積成本、上市時間（PPACt），就需要突破的量測技術。

傳統圖形控制是利用光學疊對（overlay）量測機臺來實現，這些機臺可以量測替代目標（proxy target）來協助裸晶（die）圖案對準，在裸晶分割過程中，印在裸晶切割道上的替代目標會從晶圓上移除。替代目標近似法，還包括在整個晶圓量測少量裸晶圖案的方式獲取採樣統計。

然而，經過連續幾代的尺寸微縮、多重圖案化的廣泛採用、以及導致層間失真（interlayer distortion）的3D設計引進後，傳統方法會造成量測缺陷（即盲點），使工程師更難將預期圖案與晶片上的結果作相互關聯。

新的電子束系統技術，可以高速穿透晶片多層結構並直接量測整個晶圓半導體元件的結構，所以客戶開始採用以大數據爲基礎的圖形控制攻略。應用材料最新的電子束量測創新技術PROVision 3E系統就是針對這種新攻略特別設計。

應用材料影像與製程控制事業部副總裁暨總經理基思．威爾斯（Keith Wells）表示，PROVision 3E系統具備的解析度和速度，能夠超越光學量測的盲點，並對整個晶圓和晶片的多層結構之間執行準確的測量。同時晶片製造商還能借此獲得必要的多維度資料，用以改善PPAC並加快新制程技術和晶片上市時間。

PROVision 3E系統具備的技術，能夠對當今最先進設計的晶片進行圖形控制，包括3奈米晶圓代工邏輯晶片、環繞閘極（GAA）架構電晶體和下一代DRAM和3D NAND。