美光攻AI 打造新世代HBM3

臺灣美光董事長盧東暉（右）與美光先進封裝技術開發處副總裁 Akshay Singh（左）4日出席媒體交流說明公司年度展望。圖／王德爲

AI浪潮帶動高速運算需求，美光新世代高頻寬記憶體（HBM3）開發有成，急起直追韓廠SK海力士，企圖分食韓廠獨大市佔率，目前該產品已送樣，預計2024年第一季放量交貨。

臺灣美光4日舉行媒體記者會，臺灣美光董事長盧東暉、美光先進封裝技術開發處副總裁Akshay Singh兩人皆風塵僕僕地自美返臺，分享美光過去一年的成果回顧與未來展望。

盧東暉指出，臺灣是美光卓越製造中心之一，以DRAM製造爲主，美光有多達65％的DRAM在臺灣生產，未來臺灣更將是最先進DRAM製造和先進封裝重鎮。

盧東暉指出，繼日本廠於2022年10月開始量產1-beta製程技術後，臺灣在2023年下半年也開始量產1-beta製程，相較上一代的1-alpha製程，美光的1-beta製程功耗降低約15％，位元密度提升超過35％，每顆晶粒容量可達16Gb。

盧東暉指出，1-beta製程主要是生產車用、行動及資料中心等不同應用所需的記憶體，隨着電子產品的日新月異，儲存容量、效能及能耗，將是新產品勝出的三大關鍵。

美光目前正在打造下一世代1-gamma製程，採用極紫外光（EUV）的製程技術，計劃在2025年上半年量產，1-gamma製程預期會先在臺中廠量產。

Akshay Singh則指出，近期AI浪潮風起雲涌，記憶體在AI扮演重要角色，美光正積極擴大HBM佈局，先前該公司宣佈推出業界首款8層堆疊（8-High）24GB的HBM3 Gen 2產品，已經開始送樣，計劃2024年第一季放量出貨。

他透露，後續也計劃推出技術含量更高的12顆堆疊容量32GB的HBM3e，預期美光的HBM市佔率將在2024年顯著提升。

他分析，未來十年AI產值會超過13兆美元，幾乎等同中國大陸的國民生產總值（GDP），AI工作負載高，需要高效能運算，但其瓶頸在記憶體。舉例來說，資料中心的運作，消耗了3％的地球能源，因此，記憶體要有極低的功耗，才能保護地球。

臺灣美光除承諾未來將持續在臺投資先進製程外，也將攜手在地供應鏈夥伴，加速在臺的技術發展，擴大本土半導體產業生態系。盧東暉指出，美光已舉辦臺灣材料、氣體、液體等廠商的茶會，接着會舉行零配件廠商茶會，藉此建立美光的本土供應鏈商體系，除深耕臺灣外，也攜手擴展國際市場。