聯電推40奈米SST嵌入式快閃記憶 東芝評估採用
聯電（2303）今（21）日宣佈新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，並使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝已開始評估其微處理器（MCU）晶片聯電40奈米SST技術平臺的適用性。
聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，聯電努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平臺，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成爲主流技術以來，聯電一直受到客戶的高度關注，藉此製程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。
聯電錶示，新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，並使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯華電子40奈米SST技術平臺的適用性。
東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總鬆井俊表示，期待採用聯華電子40奈米SST技術有助於提升東芝MCU產品的性能；與聯電合作，透過穩定的製造供應及配合東芝生產需求提供靈活的產能，保持強勁的業務連續性計劃 （BCP）。
已有超過20個客戶和產品正以聯華電子55奈米SST嵌入式快閃記憶體制程進行各階段的生產，包含了SIM卡，金融交易，汽車，物聯網，MCU及其他應用產品。