李在鎔特赦後投資第一槍 三星研發半導體 狠砸4,954億

三星電子副會長李在鎔。圖／美聯社

剛獲得特赦的三星電子副會長李在鎔19日出席在京畿道器興園區舉行的下一代半導體研發（R&D）園區動工儀式。三星電子計劃到2028年對該園區投資約20兆韓元（約臺幣4,954億元）。

這是三星電子自2014年以來時隔八年在國內新建研發中心，該研發園區總面積約10.9萬平方公尺，將主管NAND快閃記憶體、晶圓代工、系統新片等新技術研發。三星電子相關人士表示，若建成具備尖端設備的研發中心，有望縮短新一代產品研發時間，提升半導體品質。

專家指出，李在鎔出席動工儀式意在凸顯其對技術的高度重視，強調只有拉開「超級差距」才能生存下來。

李在鎔當天表示，三星的器興半導體廠破土動工已過40年，今天在此再次開始新的挑戰。沒有對研發的大膽投資就不會有如今的三星半導體，讓我們秉承「重視技術、先驅投資」的傳統，以前所未有的全新技術創造未來。

當天在器興園區之後，李在鎔又前往華城的半導體廠，視察半導體業務。這是李在鎔在光復節獲特赦重返經營一線後的第一個公開日程。李在鎔在15日光復節獲得總統特赦並恢復經營權，前兩天已前往三星電子總部聽取經營一線業務報告。

7月底美媒報導，三星電子考慮未來20年投資近2,000億美元，在美國德州設立11座晶圓廠。其中兩座將座落於奧斯汀（Austin），其他九座位於泰勒市（Taylor），兩地的投資額分別約250億美元和1,700億美元。

三星並表示，若確定要推進投資計劃，部分晶圓廠最快2034年左右就可投產，另一部分也會在後續十年啓動生產。

但三星當時強調，尚未有具體設廠計劃，上述投資提案僅爲三星長期規劃過程的一部分，以評估在美國設立更多晶圓廠的可行性。

三星目前在韓國有三座晶圓廠，德州奧斯汀和中國各有兩座工廠。去年還宣佈將斥資170億美元在德州泰勒市建立先進晶圓廠，目前新廠已動工，預計2024下半年投產。